[发明专利]一种晶圆的裂片装置和方法有效
| 申请号： | 201210273144.5 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102810469A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 宋超;刘榕;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆的裂片装置和方法，属于半导体发光器件领域。所述装置包括用于产生超声波的超声波换能器、用于将所述超声波传递至划片后的晶圆的传递介质、以及用于支撑所述划片后的晶圆的支撑件；所述超声波换能器和所述支撑件相对设置。所述方法包括将划片后的晶圆与超声波的传递介质接触；在所述传递介质中向所述划片后的晶圆传播超声波，使所述划片后的晶圆在所述超声波作用下裂片。本发明通过一种晶圆的裂片装置和方法进行晶圆的裂片，裂片主要采用超声波技术，效率高，用时短，芯片的良品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 裂片 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆的裂片装置，其特征在于，所述装置包括用于产生超声波的超声波换能器、用于将所述超声波传递至划片后的晶圆的传递介质、以及用于支撑所述划片后的晶圆的支撑件；所述超声波换能器和所述支撑件相对设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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