[发明专利]纳米超声发生装置及其制作方法和离子导入装置有效
| 申请号： | 201210273171.2 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103567136A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李泽堂;原超;刘红阁 | 申请（专利权）人： | 纳米新能源（唐山）有限责任公司 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06;A61M37/00 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 063009 河北省唐山市高新技*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种纳米超声发生装置，其包括：第一导电层；第二导电层；第一高分子绝缘层，其位于所述第二导电层的第一侧表面上；以及压电纳米线阵列，其位于第一导电层的第一侧表面和第一高分子绝缘层的第二侧表面之间，且垂直生长在所述第一导电层的第一侧表面或者所述第一高分子绝缘层的第二侧表面上；所述第一导电层与所述第二导电层连接外加交流电压，使压电纳米线阵列振动而能够产生超声波。另外，本发明还提供一种制作纳米超声发生装置的方法以及与纳米超声发生装置具有相同工作原理的离子导入装置。本发明的纳米超声发生装置体积小，可以根据需要制作成所需尺寸的大小，便于携带和操作。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 超声 发生 装置 及其 制作方法 离子 导入 | ||
【主权项】：
一种纳米超声发生装置，其特征在于，包括：第一导电层；第二导电层；第一高分子绝缘层，其位于所述第二导电层的第一侧表面上；以及压电纳米线阵列，其位于第一导电层的第一侧表面和第一高分子绝缘层的第二侧表面之间，且垂直生长在所述第一导电层的第一侧表面上；所述第一导电层与所述第二导电层连接外加交流电压，使压电纳米线阵列振动而能够产生超声波。
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