[发明专利]一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法有效
申请号: | 201210274130.5 | 申请日: | 2012-08-02 |
公开(公告)号: | CN102800850A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 张亚非;钱炳建;李海蓉;苏言杰;魏浩 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法,使用两个内径不同的中空石墨坩埚,使得两个坩埚相互嵌套,其中一个石墨坩埚放置硅源,另一个石墨坩埚放置镀铁的硅片作为基底,并将两个坩埚放置在适当位置;迅速将温度升高至950摄氏度,保持温度5分钟后降低感应炉功率,使温度在数秒内下降至850摄氏度左右,继续保持5分钟后关闭电源。在硅片基底上可以得到三维纳米结构,具体为较粗的硅纳米线构成三维结构的骨架,在骨架间隙内填充有极细的硅纳米丝状物。所得材料具有较大的比表面积和牢固的三维骨架,因此在锂电池和高性能传感器中有较好的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 分步 加热 制备 三维 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法,其特征在于,该方法使用两个相互嵌套的中空石墨坩埚,分别放置硅源和镀铁的硅片基底,在1分钟内迅速将温度升高至950摄氏度,保持5分钟后调整感应炉功率使得炉内温度在数秒内降低至850摄氏度,继续保持5分钟后关闭电源并自然冷却到室温,在硅片基底上得到的黄色物即为三维硅基纳米结构。
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