[发明专利]一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法无效
| 申请号： | 201210274330.0 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102796526A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 林健;赵权;刘春香;吕菲;杨洪星;于妍;佟丽英 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04;C30B33/10 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 梁军 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液和腐蚀方法，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。本发明还提供了磷化铟单晶片的化学腐蚀方法，该腐蚀方法包括以下步骤：将磷化铟单晶片放在夹具上；将硫酸、双氧水、水按照硫酸：双氧水：水=（4-6）：（1-3）：（1-2）的配比配制腐蚀液；当所述容器内腐蚀液达到60-75度的腐蚀温度时，将夹有所述磷化铟单晶片的所述夹具放入所述腐蚀液中，进行腐蚀，腐蚀时间为2-6分钟；将所述磷化铟单晶片取出，迅速放入去离子水中清洗。本发明能够有效解决磷化铟单晶片在切、磨等加工过程中产生的表面机械损伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 磷化 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液，其特征在于，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4‑6）：（1‑3）：（1‑2）。
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