[发明专利]一种金属硅化物半导体的形成方法

摘要

本发明提供一种金属硅化物半导体的形成方法，包括提供半导体衬底；在衬底上依次形成栅极介电层、多晶硅层和硬掩膜层；图案化硬掩膜层；在图案化了的硬掩膜层的侧壁上形成第一间隙壁；以硬掩膜层和第一间隙壁为掩膜蚀刻多晶硅层和栅极介电层，形成栅极结构；去除硬掩膜层或第一间隙壁；以硬掩膜层或第一间隙壁为掩膜部分刻蚀多晶硅层以形成凸的形状或形成凹的形状；在衬底上和凹或凸的多晶硅层上执行自对准硅化物形成工艺；在衬底中形成源极和漏极。由于栅极结构的面积扩大使得自对准硅化物形成工艺的使用范围扩展，可以在栅极结构上形成更大面积的金属硅化层，使得栅极电阻大大降低，器件的速度得以提升。

主权项

一种金属硅化物半导体的形成方法，包括步骤：a)提供半导体衬底；b)在所述衬底上依次形成栅极介电层、多晶硅层和硬掩膜层；c)图案化所述硬掩膜层；d)在所述图案化了的硬掩膜层的侧壁上形成第一间隙壁；e)以所述硬掩膜层和所述第一间隙壁为掩膜蚀刻所述多晶硅层和所述栅极介电层，形成栅极结构；f)去除所述硬掩膜层或所述第一间隙壁；g)以所述硬掩膜层或所述第一间隙壁为掩膜部分刻蚀多晶硅层以形成凸的形状或形成凹的形状，以增加栅极结构的面积；h)在所述衬底上和所述凸的形状或凹的形状的多晶硅层上执行自对准硅化物形成工艺；i)在所述衬底中形成源极和漏极。