[发明专利]一种在ITO玻璃上制备可调控直径和高度的氧化锌纳米线/管阵列的方法无效
申请号: | 201210276347.X | 申请日: | 2012-08-06 |
公开(公告)号: | CN102747424A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 王晓东 | 申请(专利权)人: | 苏州汶颢芯片科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/62 | 分类号: | C30B29/62;C30B29/60;C30B29/16;C30B7/12 |
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地址: | 215028 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种在ITO玻璃上制备可调控直径和高度的氧化锌纳米线/管阵列的制备方法,该方法首先采用喷雾热分解法在ITO玻璃上制备ZnO种子层薄膜,再将ZnO种子层薄膜在氯化锌溶液里用电化学方法沉积得到高度取向的ZnO纳米线。通过将ZnO纳米线阵列浸泡在KCl溶液里刻蚀,得到ZnO纳米管阵列。本发明提出的ZnO纳米线/管阵列的制备方法所需材料廉价,环境友好,设备和步骤简单,制备周期短,易于合成。制备的ZnO纳米线和纳米管是由ZnO纳米晶组成,高度和直径均可调控,具有良好的光学和电学性能,可广泛应用于纳米晶太阳能电池、纳米传感器等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 ito 玻璃 制备 调控 直径 高度 氧化锌 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】:
一种在ITO玻璃上制备可调控直径和高度的氧化锌(ZnO)纳米线/管阵列的方法,其特征在于该制备方法首先采用喷雾热分解法在ITO玻璃上制备ZnO种子层薄膜,再将ZnO种子层薄膜在氯化锌溶液里用电化学方法沉积得到高度取向的ZnO纳米线。最后,通过将ZnO纳米线阵列浸泡在KCl溶液里刻蚀,可得到ZnO纳米管阵列。
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