[发明专利]用于堆叠裸片组合件的经重组晶片的激光辅助式分裂

摘要

一种形成堆叠裸片装置的方法包含将第一半导体裸片附接到晶片上以形成经重组晶片，且接着将第二半导体裸片接合到所述第一半导体裸片上以在所述晶片上形成多个单一化堆叠裸片装置。将支撑带附接到所述第二半导体裸片的底侧。将切割带附接到所述晶片。在附接所述切割带之前或之后，在与所述第一半导体裸片之间的间隙对准的既定切割道处对所述晶片进行激光照射以在所述既定切割道处机械上削弱所述晶片，但不切穿所述晶片。牵拉所述切割带以将所述晶片分裂成多个单一化部分，以形成多个通过所述切割带附接到所述单一化晶片部分的单一化堆叠裸片装置。在分裂之前移除所述支撑带。

主权项

一种形成堆叠裸片装置的方法，其包括：将多个第一半导体裸片附接到晶片的表面上以形成经重组晶片；将多个第二半导体裸片以其顶侧向下的方式接合到所述多个第一半导体裸片以形成多个附接到所述晶片的单一化堆叠裸片装置；将支撑带附接到所述多个第二半导体裸片的底侧；将切割带附接到所述晶片；在所述晶片上的与所述多个第一半导体裸片之间的间隙对准的既定切割道处对所述晶片进行激光照射以机械地削弱但不切穿所述既定切割道；以及牵拉所述切割带以沿着所述既定切割道将所述晶片分裂成多个单一化部分，其中所述多个单一化部分附接到所述切割带且各自包含所述多个单一化堆叠裸片装置中的一者。