[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210277310.9 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103579296A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克行 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吴学锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有第1导电型的第1半导体层，形成于第1半导体层的上面的第2导电型的第2半导体层，其中第1导电型与第2导电型相反，由外延生长层构成的第2导电型的第3半导体层，与第2半导体层相接，其杂质浓度高于第2半导体层，第1导电型的第4半导体层，其形成于第3半导体层上面，第2导电型的第5半导体区域，其与第4半导体层相接，由第5半导体区域的上面开始，至少到达第4半导体层的下面的沟槽，形成于沟槽的侧面及底面的绝缘膜以及其形成于绝缘膜的内侧的沟槽中的控制电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，该半导体装置具有：第1导电型的第1半导体层，第2导电型的第2半导体层，其形成于所述第1半导体层的上面，所述第1导电型与第2导电型相反，第2导电型的第3半导体层，其与所述第2半导体层相接，其杂质浓度高于所述第2半导体层的杂质浓度，第1导电型的第4半导体层，其形成于所述第3半导体层上面，第2导电型的第5半导体区域，其与所述第4半导体层相接，沟槽，其由所述第5半导体区域的上面开始，至少到达所述第4半导体层的下面，绝缘膜，其形成于所述沟槽的侧面及底面，以及控制电极，其形成于所述绝缘膜的内侧的沟槽中，其中，所述第3半导体层是外延生长层。
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