[发明专利]一种转移二维纳米薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种转移二维纳米薄膜的方法，主要包括在二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底之间的界面插入隔离层，从而降低二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底之间的作用力；使用外力将二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底分离。本方法可以大面积地转移二维纳米薄膜，无需腐蚀掉合成二维纳米薄膜所需的催化层衬底，从而催化层衬底可以反复被利用；本方法可以转移在任意催化层衬底上合成的二维纳米薄膜。所述的二维纳米薄膜包括由元素周期表中第四主族的元素构成的石墨烯薄膜、硅烯薄膜、锗烯薄膜或元素锡构成的类石墨烯薄膜、金属硫族化合物薄膜、氮化硼薄膜等。本发明方法简单、环保、可以降低合成与应用二维纳米薄膜的成本。

主权项

一种转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：1) 在二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底之间的界面插入隔离层；2) 在所述的二维纳米薄膜的表面制备支撑层；3) 将所述步骤2)得到的支撑层/二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底分离。