[发明专利]半导体覆晶接合结构及方法有效
| 申请号： | 201210278913.0 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102800641A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 萧友享;高金利;邱盈达;林光隆;李秋雯;杨秉丰;李长祺 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L25/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种半导体覆晶接合结构及方法。该半导体覆晶接合结构包括一第一半导体元件、一第一介金属化合物、一第二半导体元件、一第二介金属化合物及一焊料层。该第一介金属化合物邻接于该第一半导体元件的金属柱。该第二介金属化合物邻接于该第二半导体元件的电性接点。该焊料层位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间。藉此，可有效提高可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接合 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体覆晶接合结构，包括：一第一半导体元件，具有一金属柱；一第一介金属化合物，直接位于该金属柱上；一第二半导体元件，具有一电性接点；一第二介金属化合物，邻接于该电性接点；及一焊料层，位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间。
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