[发明专利]掩模块件及使用其的有机气相沉积装置与热蒸镀装置无效
申请号: | 201210279695.2 | 申请日: | 2012-08-07 |
公开(公告)号: | CN103572245A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 王文俊;康恒达;苏国彰;黄湘霖 | 申请(专利权)人: | 联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C14/04;C23C16/44;C23C14/24 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 523808 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩模块件及使用其之有机气相沉积装置与热蒸镀装置。掩模块件设置在一气体出口与一待镀基板之间。掩模块件包含有一像素掩模与一阻热掩模。像素掩模设置在气体出口与待镀基板之间,且具有多个第一开口。阻热掩模设置在气体出口与像素掩模之间,且具有多个第二开口,其中各第二开口对应至少一第一开口设置。 | ||
搜索关键词: | 模块 使用 有机 沉积 装置 热蒸镀 | ||
【主权项】:
一种掩模块件,设置在一气体出口与一待镀基板之间,其特征在于,包含有:一像素掩模,设置在所述气体出口与所述待镀基板之间,且具有多个第一开口;以及一阻热掩模,设置在所述气体出口与所述像素掩模之间,且具有多个第二开口,其中各所述第二开口对应至少一所述第一开口设置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的