[发明专利]一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池

摘要

一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，涉及一种太阳能电池。设有Si底电池、Ge隧穿结、GaAs中间电池、AlGaAs/InGaP隧穿结、InGaP顶电池和接触层，所述Si底电池构建在P型Si衬底上，Ge隧穿结连接Si底电池与GaAs中间电池，AlGaAs/InGaP隧穿结连接GaAs中间电池与InGaP顶电池，接触层设于InGaP顶电池上。Ge隧穿结将Si与GaAs之间形成失配位错和反相畴的区域有效分割，解决了Si底电池与Ⅲ-Ⅴ族子电池间的串联、晶格匹配以及反相畴问题，有利于提高电池外延的晶体质量和电池转换效率。

主权项

一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，其特征在于设有Si底电池、Ge隧穿结、GaAs中间电池、AlGaAs/InGaP隧穿结、InGaP顶电池和接触层，所述Si底电池构建在P型Si衬底上，Ge隧穿结连接Si底电池与GaAs中间电池，AlGaAs/InGaP隧穿结连接GaAs中间电池与InGaP顶电池，接触层设于InGaP顶电池上。