[发明专利]三维集成半导体系统和形成该三维集成半导体系统的方法有效
| 申请号： | 201210282670.8 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102956630A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 比什-因·阮;玛丽亚姆·萨达卡 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;宋教花 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及三维集成半导体系统和形成该三维集成半导体系统的方法。三维集成半导体系统包括与绝缘体上半导体（SeOI）基板上的电流/电压转换器可操作地耦接的光敏器件。光学互连被可操作地耦接至光敏器件。半导体器件被接合在SeOI基板上，并且电通路在电流/电压转换器与接合在SeOI基板上的半导体器件之间延伸。形成这种系统的方法包括以下步骤：在SeOI基板上形成光敏器件，并且可操作地耦接波导与该光敏器件。可以将电流/电压转换器形成在SeOI基板上，并且光敏器件和电流/电压转换器可以彼此可操作地耦接。可以将半导体器件接合在SeOI基板上，并且与电流/电压转换器可操作地耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 集成 半导体 系统 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种三维集成半导体系统，该三维集成半导体系统包括：绝缘体上半导体SeOI基板，该SeOI基板包括：半导体材料层；和电绝缘材料层，该电绝缘材料层与所述半导体材料层的主表面相邻地设置；至少一个光敏器件，该至少一个光敏器件形成在所述SeOI基板的所述半导体材料层上；以及至少一个光学互连，该至少一个光学互连包括所述SeOI基板的所述半导体材料层的一部分，所述至少一个光学互连可操作地耦接至所述至少一个光敏器件；至少一个电流/电压转换器，该至少一个电流/电压转换器形成在所述SeOI基板的所述半导体材料层上；在所述至少一个光敏器件与所述至少一个电流/电压转换器之间延伸的至少一条电通路；至少一个半导体器件，该至少一个半导体器件接合在所述SeOI基板上；以及在所述至少一个电流/电压转换器与接合在所述SeOI基板上的所述至少一个半导体器件之间延伸的至少一条电通路。
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