[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置，其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间包括设置有缓冲层的反交错型（底栅结构）的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的缓冲层，来形成欧姆接触。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底上的栅电极，所述栅电极含有铜；所述栅电极上的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜含有氮化硅；所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜含有氧化硅；所述第二绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟和氧；所述氧化物半导体膜上的源电极；所述氧化物半导体膜上的漏电极；所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第三绝缘膜，所述第三绝缘膜含有氧化硅；所述第三绝缘膜上的第四绝缘膜，所述第四绝缘膜含有氮化硅；以及所述第四绝缘膜上的像素电极，所述像素电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个，其中，所述氧化物半导体膜在所述源电极和所述漏电极之间具有凹部，所述凹部与所述栅电极重叠，并且，所述第三绝缘膜接触于所述凹部。