[发明专利]废太阳能电池片退银处理方法无效
申请号: | 201210284147.9 | 申请日: | 2012-08-12 |
公开(公告)号: | CN102842648A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 熊涛涛;孙志刚;刘茂华;韩子强;石坚;王俊涛;刘瑞柱 | 申请(专利权)人: | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人: | 王好勤 |
地址: | 456400 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 废太阳能电池片退银处理方法,涉及太阳能硅片洗料技术,包括如下步骤:a将太阳能报废电池片表面洗干净;b用盐酸浸泡2-5小时将铝背场去除,其中,盐酸指分析纯含量36%-38%;c铝背场去除后的硅片用纯水冲洗干净,放入王水中浸泡2-5小时,去除硅片上面银电极;d按王水与HF体积比16-20:1的比例,在王水中加入HF,将去除银电极的硅片置入浸泡2-5小时,去除表面氮化硅蓝膜,得到干净的退银片;所述HF指分析纯HF含量42%-50%;e退银片用纯水冲洗干净后得到退银片。本发明的有益效果是:通过不同酸的性质对电池片上面的铝、银、氮化硅进行单独处理,处理时可以得到充分反应,处理成本低、效率高。可有效降低硅锭生产成本,使投炉量增加达到增效的目的。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 片退银 处理 方法 | ||
【主权项】:
废太阳能电池片退银处理方法,其特征在于包括如下步骤:a将太阳能报废电池片表面洗干净;b用盐酸浸泡2-5小时将铝背场去除,其中,盐酸指分析纯含量36%‑38%;c铝背场去除后的硅片用纯水冲洗干净,放入王水中浸泡2-5小时,去除硅片上面银电极;d按王水与HF体积比16-20:1的比例,在王水中加入HF,将去除银电极的硅片置入浸泡2-5小时,去除表面氮化硅蓝膜,得到干净的退银片;所述HF指分析纯HF含量42%‑50%;e退银片用纯水冲洗干净后得到退银片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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