[发明专利]新型CMOS-MEMS兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法无效
| 申请号： | 201210285478.4 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102935994A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 黄立;高健飞 | 申请（专利权）人： | 武汉高德红外股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 唐正玉 |
| 地址： | 430223 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型CMOS-MEMS兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法，按以下步骤进行：在器件晶圆的第一牺牲层上制备第二牺牲层并图形化；利用薄膜制备技术在第二牺牲层上分别制备红外增透膜和红外透过层，并在红外增透膜和红外透过层上刻蚀出一个小孔；在红外透过层上制备第三牺牲层并图形化；在第三牺牲层上制备红外增透膜，同时在红外增透膜上刻蚀出一个小孔作为释放孔；通过释放孔去除所有牺牲层并将释放孔用填孔材料密封，划片制得。本发明的工艺能够进一步降低非制冷红外探测器的封装成本，更容易实现非制冷红外探测器的大批量应用。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 cmos mems 兼容 制冷 红外传感器 像素 封装 方法 | ||
【主权项】：
新型CMOS‑MEMS兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法，其特征在于按以下步骤进行：在器件晶圆的第一牺牲层上制备第二牺牲层并图形化；利用薄膜制备技术在第二牺牲层上分别制备红外增透膜和红外透过层，并在红外增透膜和红外透过层上刻蚀出一个小孔；在红外透过层上制备第三牺牲层并图形化；在第三牺牲层上制备红外增透膜，同时在红外增透膜上刻蚀出一个小孔作为释放孔；通过释放孔去除所有牺牲层并将释放孔用填孔材料密封，划片制得新型CMOS‑MEMS兼容的非制冷红外传感器。
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