[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210285739.2 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102779915A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 吴厚润 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，通过分别在生长衬底的两面进行外延生长n型氮化镓基半导体层和氮化镓基发光外延叠层，利用晶圆键合技术或电镀技术将氮化镓基发光外延叠层黏结到半导体或金属基板上，以n型氮化镓基半导体层为出光面，并在其上制作光萃取结构，从而提高倒装发光二极管的取光效率、散热功能及产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
倒装发光二极管，包括：透光性生长衬底，具有第一、第二两个主表面；n型氮化镓基半导体层，形成于所述生长衬底的第一表面上，其表面制作有光萃取结构；氮化镓基发光外延叠层，形成于所述生长衬底的第二表面上；支撑基板，形成于所述氮化镓基发光外延叠层上。
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