[发明专利]薄膜器件在审
| 申请号： | 201210286625.X | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102956681A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 竹知和重 | 申请（专利权）人： | NLT科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜器件。使用氧化物半导体膜的TFT存在的问题是会在源-漏电极执行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域中产生氧缺乏并增大关断电流。公开一种TFT，其包括：在作为衬底的绝缘衬底上的栅电极；在栅电极上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及在氧化物半导体膜上的源/漏电极，该TFT的特征在于包含至少氟或氯的表面层存在于氧化物半导体膜的没有与源/漏电极重叠的部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜器件，包括在衬底上的栅电极，在所述栅电极上的栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜以及在所述氧化物半导体膜上的源/漏电极，其中包含至少氟或氯的表面层存在于所述氧化物半导体膜的没有与所述源/漏电极重叠的部分中。
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