[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明可提高半导体器件的制造成品率。在半导体晶片(SW)上形成被加工膜(1)，在被加工膜(1)上形成抗反射膜(2)，在抗反射膜(2)上形成抗蚀层(3)后，对抗蚀层(3)进行浸液曝光、显影及冲洗处理，从而形成抗蚀图(3a)。随后，将抗蚀图(3a)作为蚀刻掩模，依序对抗反射膜(2)及被加工膜(1)进行蚀刻。在抗蚀层(3)的显影工序中，抗反射膜(2)从因显影处理而被除去了抗蚀层(3)的部分露出。在进行显影后的冲洗处理时，从抗蚀层(3)露出的抗反射膜(2)表面的憎水性与抗蚀层(3)表面(3b)的憎水性相同或更高。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：工序(a)，即准备半导体衬底的工序；工序(b)，即在所述半导体衬底上形成第1材料膜的工序；工序(c)，即在所述第1材料膜上形成抗蚀层的工序；工序(d)，即对所述抗蚀层进行浸液曝光的工序；工序(e)，即在所述工序(d)后，对所述抗蚀层进行显影处理的工序；工序(f)，即在所述工序(e)后，用冲洗液对所述半导体衬底进行冲洗处理的工序；工序(g)，即在所述工序(f)后，旋转所述半导体衬底以使所述半导体衬底干燥的工序；以及工序(h)，即在所述工序(g)后，将所述抗蚀层作为蚀刻掩模来对所述第1材料膜进行蚀刻的工序，其中，在所述工序(e)中，所述第1材料膜从因显影处理而被除去了所述抗蚀层的部分露出，在进行所述工序(f)时，从所述抗蚀层露出的所述第1材料膜表面的憎水性与所述抗蚀层表面的憎水性相同或更高。