[发明专利]RF LDMOS器件及制造方法有效
| 申请号： | 201210287203.4 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050531A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李娟娟;慈朋亮;钱文生;韩峰;董金珠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种RF LDMOS器件，其结构是法拉第盾为单层金属层，该单层金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右端连通，竖直部下端同漂移部左端连通，多晶硅部的左端在多晶硅栅上方，漂移部在N型漏端轻掺杂漂移区上方，多晶硅部正下方的介质层为氧化硅，漂移部正下方的介质层包括氧化硅、氮化硅，氮化硅区域的宽度小于所述漂移部的宽度，氮化硅区域的上部接该单层金属层的漂移部，下部及两侧为氧化硅。本发明还公开了该种RF LDMOS器件的制造方法。本发明使RF LDMOS器件具有较高击穿电压，并且制造工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | rf ldmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种RF LDMOS器件，在P外延的右部形成有一N型漏端轻掺杂漂移区，在N型漏端轻掺杂漂移区左侧的P外延上形成有栅氧，所述栅氧上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅上方、侧面及所述N型漏端轻掺杂漂移区左部上方形成有介质层，所述介质层右部上方形成有法拉第盾，所述法拉第盾为单层金属层，该单层金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右端连通，竖直部下端同漂移部左端连通，多晶硅部的左端在多晶硅栅上方，漂移部在N型漏端轻掺杂漂移区上方，其特征在于，该单层金属层的多晶硅部正下方的介质层为氧化硅，该单层金属层的漂移部正下方的介质层包括氧化硅、氮化硅，氮化硅区域的宽度小于所述漂移部的宽度，氮化硅区域的上部接该单层金属层的漂移部，下部及两侧为氧化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210287203.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种正极活性材料及其制备方法、电池
- 下一篇：蛋糕自动售卖机
- 同类专利
- 专利分类
