[发明专利]基于光子频率上转换的太赫兹成像器件、转换方法有效
申请号: | 201210287273.X | 申请日: | 2012-08-13 |
公开(公告)号: | CN102832289A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 刘惠春;杨耀;张月蘅 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/16 | 分类号: | H01L31/16 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于光子频率上转换的太赫兹成像器件,包括太赫兹上转换器件和硅基成像器件,其中,太赫兹上转换器件用于将太赫兹二维图像信号转换为近红外或者可见光二维图像信号;硅基成像器件用于将转换得到的近红外或者可见光二维图像信号进行接收探测。其所要解决的技术问题是提供一种无像元太赫兹成像器件。它基于红外光子频率上转换的原理,将红外光信号转换为近红外光子,然后利用硅基成像器件实现探测和成像,这一方法能够大大降低太赫兹成像的技术难度和成本。 | ||
搜索关键词: | 基于 光子 频率 转换 赫兹 成像 器件 方法 | ||
【主权项】:
一种基于光子频率上转换的太赫兹成像器件,其特征在于,包括太赫兹上转换器件和硅基成像器件,其中, 太赫兹上转换器件:用于将太赫兹二维图像信号转换为近红外或者可见光二维图像信号; 硅基成像器件:用于将转换得到的近红外或者可见光二维图像信号进行接收探测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的