[发明专利]一种用后热解氮化硼坩埚的表面修复方法有效

专利信息
申请号: 201210287522.5 申请日: 2012-08-13
公开(公告)号: CN102776509A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 何军舫;房明浩;刘艳改;黄朝晖 申请(专利权)人: 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司
主分类号: C23C26/00 分类号: C23C26/00;C09D1/00;C30B35/00
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 王伟锋;刘铁生
地址: 101101 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用后热解氮化硼坩埚的表面修复方法,包括如下步骤:先将氧化硼粉与酚醛树脂配制成料浆;再将配制好的料浆均匀涂覆于清洗干净的需要修复的用后热解氮化硼坩埚表面并干燥;然后将上述干燥后的热解氮化硼坩埚置于高温气氛炉加热,在一定气氛条件下反应,原位生成氮化硼涂层;最后将表面打磨抛光后即得到修复后的热解氮化硼坩埚。本发明方法可以使表面修复后的热解氮化硼坩埚再次用于化合物半导体单晶的生长,降低了成本。
搜索关键词: 一种 用后热解 氮化 坩埚 表面 修复 方法
【主权项】:
一种用后热解氮化硼坩埚的表面修复方法,其特征在于,包括如下步骤:先将氧化硼粉与酚醛树脂配制成料浆;再将配制好的料浆均匀涂覆于清洗干净的需要修复的用后热解氮化硼坩埚表面并干燥;然后将上述干燥后的热解氮化硼坩埚置于高温气氛炉加热,在一定气氛条件下反应,原位生成氮化硼涂层;最后将表面打磨抛光后即得到修复后的热解氮化硼坩埚。
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