[发明专利]应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构

摘要

本发明涉及一种应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构，属于电路结构技术领域。该电路结构中，流过N1和N2的电流I由参考电压Vx和电阻R1的值确定而和输入信号的幅度无关，消除了由于P2的沟道长度调制效应导致的信号失真，当输出信号在合理范围内波动时，流过P3的电流不变，保证输出信号良好的线性度；同时，由于P2由多个P型MOS场效应管并联构成，每个P型MOS场效应管的跨导gm2很小，并且由于反馈的引入，P2的特性接近于理想电流源，所以P2所产生的噪声大为减小，从而使本发明的应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构满足对于低噪声和良好线性度的要求，且其结构简单，成本较为低廉。

主权项

一种应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括参考电流源、第一N型MOS场效应管（N1）、第二N型MOS场效应管（N2）、第一P型MOS场效应管（P1）、第二P型MOS场效应管（P2）电路模块、第三P型MOS场效应管（P3）、电阻（R1）和运算放大器；所述的第一N型MOS场效应管（N1）的栅极和漏极短接并连接到所述的参考电流源的一端，所述的参考电流源的另一端连接电源；所述的第一N型MOS场效应管（N1）的源极和衬底接地；所述的第二N型MOS场效应管（N2）的栅极连接所述的第一N型MOS场效应管（N1）的栅极；所述的第二N型MOS场效应管（N2）的漏极连接所述的第一P型MOS场效应管（P1）的相互短接的栅极和漏极；所述的第二N型MOS场效应管（N2）的源极和衬底接地；所述的第一P型MOS场效应管（P1）的源极和衬底连接所述的电源；所述的第二P型MOS场效应管（P2）的栅极连接所述的第一P型MOS场效应管（P1）的栅极；所述的第二P型MOS场效应管（P2）的源极和衬底连接所述的电源；所述的第二P型MOS场效应管（P2）的漏极连接所述的第三P型MOS场效应管（P3）的源极和衬底，并为该电路结构的输出节点（Vout）；所述的第三P型MOS场效应管（P3）的栅极为该电路结构的输入节点（Vin）；所述的第三P型MOS场效应管（P3）的漏极连接所述的运算放大器的反向输入端，并通过所述的电阻（R1）接地；所述的运算放大器的正向输入端连接外部参考电压（Vx）；所述的运算放大器的输出端连接所述的第一N型MOS场效应管（N1）和第二N型MOS场效应管（N2）的栅极。