[发明专利]一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的装置和方法无效
| 申请号： | 201210288444.0 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102808090A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 罗天骄;杨院生;史宝良;冯小辉;李应举;胡壮麒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22B26/22 | 分类号： | C22B26/22;C22B9/02 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于金属材料制备领域，具体涉及一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的方法和装置。在真空室的底部设置真空室炉盖，真空室炉盖上设有原料石墨坩埚、高纯镁收集器石墨坩埚，原料石墨坩埚的外侧设置与温度控制器Ⅰ相连的加热炉Ⅰ，加热炉Ⅰ的顶部设置与温度控制器Ⅱ相连的加热炉Ⅱ，加热炉Ⅱ的内部设置冷凝器，冷凝器通过溜槽连至高纯镁收集器石墨坩埚。该方法直接对工业镁锭或者添加少量铁粉的工业纯镁锭进行真空蒸溜，真空室的真空度控制在2－15Pa，冷凝区域温度控制在660－750℃，原料区域温度控制在760－850℃，从而直接生成超高纯金属镁锭。本发明获得纯度大于或等于99.99wt%超高纯金属镁，完全能够满足国防、电子及生物工程材料等领域的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工业 制备 超高 金属镁 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的装置，其特征在于，该装置包括：真空室炉盖（1）、原料石墨坩埚（3）、加热炉Ⅰ（4）、加热炉Ⅱ（6）、冷凝器（7）、温度控制器Ⅰ（8）、温度控制器Ⅱ（9）、真空室（10）、高纯镁收集器石墨坩埚（12），具体结构如下：真空室（10）的底部设置真空室炉盖（1），即炉门朝下，真空室炉盖（1）上设有原料石墨坩埚（3）、高纯镁收集器石墨坩埚（12），原料石墨坩埚（3）的外侧设置与温度控制器Ⅰ（8）相连的加热炉Ⅰ（4），加热炉Ⅰ（4）的顶部设置与温度控制器Ⅱ（9）相连的加热炉Ⅱ（6），加热炉Ⅱ（6）的内部设置冷凝器（7），冷凝器（7）通过溜槽连至高纯镁收集器石墨坩埚（12）。
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