[发明专利]晶片品质检验方法有效
| 申请号： | 201210289108.8 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103325704A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡振扬;周明澔;杨上毅;吴佳兴 | 申请（专利权）人： | 旺矽科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片品质检验方法，包含有下列步骤：先设定一组检测参数；而后，扫描该晶片并依据所设定的参数检测各晶粒，并将扫描后的晶粒外观以及检测结果输出形成一晶粒状态图(Die Status Map)；依据产生的晶粒状态图产生一用以显示该晶片检测不合格的晶粒的不合格晶粒图；抽测所产生的不合格晶粒图中的至少一晶粒是否合格；若是，则修改该晶粒状态为合格，并依据抽测结果修改该晶粒状态图；储存并输出修改后的晶粒状态图。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 品质 检验 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片品质检验方法，用以检查晶片中各晶粒是否合格；该品质检验方法包含有下列步骤：A.设定一组检测参数；B.扫描该晶片并依据步骤A所设定的参数检测各晶粒，并将扫描后的晶粒外观以及检测结果输出形成一晶粒状态图(Die Status Map)；C.依据步骤B形成的晶粒状态图产生一用以显示该晶片检测不合格的晶粒的不合格晶粒图；D.抽测步骤C所产生的不合格晶粒图中的至少一晶粒是否合格；若是，则修改该晶粒状态为合格，并依据抽测结果修改该晶粒状态图；E.储存并输出步骤D修改后的晶粒状态图。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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