[发明专利]一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210289255.5 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102810555A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 黄如;邱颖鑫 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的锗锡隧穿场效应晶体管包括形成在锗半导体的衬底上的锗锡薄膜层、源区、漏区、沟道区和栅叠层区以及锗半导体的衬底。本发明的锗锡隧穿场效应晶体管制备在锗半导体的衬底上生长的锗锡薄膜层上，其中的锗锡薄膜层中锡的组分是在生长中进行调节，且随着锡的组分增加，锗锡薄膜层的禁带宽度一直减少。锗锡薄膜层的禁带宽度减少使得隧穿宽度减少，隧穿电流明显增加；间接带隙转换为直接带隙（约6%锡）也使得隧穿电流增加，所以锗锡隧穿场效应晶体管可以实现明显地提升驱动电流，从而有效地解决当前隧穿场效应晶体管的驱动电流不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗锡隧穿 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管包括：具有低掺杂的锗半导体的衬底；在锗半导体的衬底上生长的非驰豫的锗锡薄膜层；在锗锡薄膜层上的一端形成的具有第一种掺杂类型的源区；在锗锡薄膜层上的另一端形成的具有第二种掺杂类型的漏区；在锗锡薄膜层上的源区和漏区之间形成的沟道区；覆盖在沟道区上的绝缘层；在绝缘层上形成的导电层。
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