[发明专利]PMOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210289305.X | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103594365A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成伪栅结构，伪栅结构包括高k介质层、位于高k介质层上的伪栅极、位于高k介质层和伪栅极周围的侧墙；在所述伪栅结构两侧的衬底中进行离子注入，以形成源区和漏区；形成源区和漏区之后，进行第一退火，使所述源区和漏区中的离子扩散；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面和所述伪栅结构的上表面相平；去除所述伪栅极，在所述层间介质层中形成开口；形成开口后，对所述高k介质层进行第二退火，所述第二退火的气氛包括氧气；以及第二退火后，在所述开口中形成金属栅极。所述方法能够修复高k介质层的氧空位，从而避免所述氧空位给PMOS晶体管带来的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括高k介质层、位于高k介质层上的伪栅极、位于所述高k介质层和伪栅极周围的侧墙；在所述伪栅结构两侧的衬底中进行离子注入，以形成源区和漏区；形成源区和漏区之后，进行第一退火，促进所述源区和漏区中的离子扩散；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面和所述伪栅结构的上表面相平；去除所述伪栅极，在所述层间介质层中形成开口；形成开口后，对所述高k介质层进行第二退火，所述第二退火的气氛包括氧气；以及第二退火后，在所述开口中形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
