[发明专利]一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管

摘要

一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区和N型体接触区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型阴区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在P型阳区和N型体接触区正下方设有深N型阱区，在浅P型阱区正下方设有深P型阱区，这两个区域均能有效地抑制载流子双注入效应，使得在漂移区中自由载流子中和的数目减少，从而提高了器件维持电压，降低了泄放静电过程中闩锁发生的风险。

主权项

一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底（1），在N型衬底（1）上设有埋氧（2），在埋氧（2）上设有N型外延层（3），在N型外延层（3）的内部设有N型缓冲阱（4）和P型体区（16），在N型缓冲阱（4）内设有P型阳区（5）和N型体接触区（19），在P型体区（16）中设有N型阴区（15）和P型体接触区（14），在N型外延层（3）的表面设有栅氧化层（11）和场氧化层（8）且栅氧化层（11）的一端和场氧化层（8）的一端相抵，所述栅氧化层（11）的另一端向N型阴区（15）延伸并止于N型阴区（15）的边界，所述场氧化层（8）的另一端向P型阳区（5）延伸并止于P型阳区（5）的边界，在N型阴区（15）和P型体接触区（14）表面设有浅P型阱区（13），且浅P型阱区（13）延伸至栅氧化层（11）下方，在栅氧化层（11）的表面设有多晶硅栅（10）且多晶硅栅（10）延伸至场氧化层（8）的上表面，在场氧化层（8）、P型体接触区（14）、N型阴区（15）、多晶硅栅（10）、P型阳区（5）和N型体接触区（19）的表面设有钝化层（7），在P型阳区（5）和N型体接触区（19）表面连接有第一金属层（6），在多晶硅栅（10）的表面连接有第二金属层（9），在P型体接触区（14）和N型阴区（15）表面连接有第三金属层（12），其特征在于，在P型阳区（5）和N型体接触区（19）正下方设有深N型阱区（18），所述深N型阱区（18）位于N型缓冲阱（4）内。