[发明专利]一种氮化镓系高压发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开一种氮化镓系高压发光二极管，包括有若干发光单元，该发光单元形成于同一衬底上，发光单元之间由绝缘沟道隔开，各发光单元通过金属连接线串联或并联，绝缘沟道中具有填充层，所述金属连接线位于该填充层上；发光单元包括有一层N型氮化镓半导体层和一层P型氮化镓半导体层，P型氮化镓半导体层上具有透明导电膜和正电极，N型氮化镓半导体层上具有负电极；填充层由绝缘耐热材料以旋转涂布的方式形成。利用旋转机涂布一层填充层，将各发光单元之间的绝缘沟道加以填充，然后再利用回蚀的方式，不管ICP深刻蚀后的侧壁形貌如何，都可以加以填充，最后将发光单元的表面曝露出来，可防止因发光单元高度太大而造成断线或连线不佳。

主权项

一种氮化镓系高压发光二极管，包括有发光单元（100），该发光单元（100）形成于同一衬底（200）上，发光单元（100）之间由绝缘沟道（300）隔开，各发光单元（100）通过金属连接线（400）串联或并联，其特征在于，所述绝缘沟道（300）中具有填充层（310），所述金属连接线（400）位于该填充层（310）上。