[发明专利]叠层硅基异质结太阳能电池

摘要

本发明涉及叠层硅基异质结太阳能电池，具有c-Si(p)基体，c-Si(p)基体正面生长有正面ZnO层，正面ZnO层的正面依次生长有正面a-Si:H(i)层、正面a-Si:H(n+)层，正面a-Si:H(n+)层正面具有SiO2层，c-Si(p)基体背面生长有背面ZnO层，背面ZnO层背面依次生长有背面a-Si:H(i)层、背面a-Si:H(p+)层，背面a-Si:H(p+)层背面沉积有AL2O3薄膜。本发明增加了非晶硅对光的吸收，减少了非晶硅的厚度，减弱了非晶硅的光致衰减效应，提高稳定性，有利于提高电池效率。

主权项

一种叠层硅基异质结太阳能电池，其特征在于：具有c‑Si(p)基体（1），c‑Si(p)基体（1）正面生长有厚度为10～50nm的正面ZnO层（21），所述的正面ZnO层（21）的正面依次生长有正面a‑Si:H(i)层（31）、正面a‑Si:H(n+)层（41），所述的正面a‑Si:H(i)层（31）厚度为5±1nm，所述的正面a‑Si:H(n+)层（41）厚度为10±2nm，所述的正面a‑Si:H(n+)层（41）正面具有厚度为1～2nm的SiO2层（51），所述的c‑Si(p)基体（1）背面生长有厚度为10～50nm的背面ZnO层（22），所述的背面ZnO层（22）背面依次生长有背面a‑Si:H(i)层（32）、背面a‑Si:H(p+)层（42），所述的背面a‑Si:H(i)层（32）厚度为5±1nm，所述的背面a‑Si:H(p+)层（42）厚度为10±2nm，所述的背面a‑Si:H(p+)层（42）背面沉积有厚度为1～2nm的AL2O3薄膜（52）。