[发明专利]一种制造半导体器件的方法

摘要

本发明为一种制造半导体器件的方法。自动分析仪检测施加在电极之间的电压并且判断电压值是否落入设定电压范围内。当检测到的电压值低于设定电压范围的最小值时，所述分析仪基于检测到的电压值计算基础溶液的不足量，控制阀以供给基础溶液的不足量，随后，对阀进行控制操作，以保持电镀溶液罐中的规定量的电镀溶液，将电镀溶液排出。当检测到的电压值高于设定电压范围的最大值时，所述分析仪基于检测到的电压值计算基础溶液的超出量，控制阀并且供给纯水至罐内，使得基础溶液的浓度落入规定的范围内以稀释电镀溶液，然后，控制阀将电镀溶液排出，从而保持规定的量。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：制备半导体晶片，所述半导体晶片包括在其上形成的插嵌的夹层绝缘膜；在所述夹层绝缘膜上形成绝缘膜；通过干法刻蚀在所述绝缘膜的给定区域中形成配线槽；在包括配线槽的绝缘膜上形成铜种子薄膜；通过电镀设备使用电镀方法在所述种子薄膜上形成镀铜薄膜；除去配线槽之外的区域中的镀铜薄膜和种子薄膜并且形成嵌入配线槽内的镀铜薄膜的配线；其中，在通过电镀设备形成镀铜薄膜的步骤中，当所述半导体晶片浸泡在电镀溶液中以形成镀铜薄膜时，检测施加在阴极和阳极之间的电镀电压，以及确定检测到的电镀电压是否落入预先设定的设定电压范围内，并且其中，在测定的结果中，当电镀电压未落入设定电压范围内时，对电镀溶液中的无机成分的浓度进行调节，使得电镀电压的电压值落入设定电压范围内。