[发明专利]一种超结高压功率器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种超结高压功率器件的制造方法。本发明提供n型重掺杂的n+衬底，并在n+衬底上形成n型外延层、之后形成p阱区、复合缓冲层；在硅片上生长场氧化层，界定出器件的有源区，生长栅氧化层，界定出多晶硅第一次刻蚀的区域；整个半导体硅片表面进行深p+注入，前面工艺形成的多晶硅区域可以界定形成p+区域；将硅片置于多晶硅刻蚀液中，通过控制刻蚀时间及刻蚀速率，将多晶硅进行二次刻蚀，之后形成型源区n+；与整个半导体硅片表面淀积介质层，界定出接触孔区域，并进行氧化层刻蚀；淀积金属层，通过光刻，定义出刻蚀区域，进行金属刻蚀。本发明提高器件的雪崩耐量，改善器件的可靠性，并且不影响器件的开启电压和导通电阻。

主权项

一种超结高压功率器件的制造方法，其特征在于：通过以下步骤实现：步骤一:提供n型重掺杂的n+衬底，并在n+衬底上形成n型外延层；步骤二:通过光刻界定出p‑body的注入区域，进行p型杂质注入，并通过热过程推阱形成p阱区；步骤三：通过光刻界定出形成p‑colunm的区域，并通过刻蚀及外延填充形成p‑column，形成复合缓冲层；步骤四：在硅片上生长场氧化层，并通过光刻场氧化层界定出器件的有源区，生长栅氧化层，淀积厚度为T+x微米的多晶硅，并通过光刻界定出多晶硅第一次刻蚀的区域，第一次刻蚀后多晶硅的宽度为W+x微米；步骤五：整个半导体硅片表面进行深p+注入，前面工艺形成的多晶硅区域可以界定形成p+区域，p+注入后会横扩x微米；步骤六：将硅片置于多晶硅刻蚀液中，通过控制刻蚀时间及刻蚀速率，将多晶硅进行二次刻蚀，多晶硅表面及侧壁刻蚀掉x微米，则第二次刻蚀后多晶硅的厚度从T+x微米变为了T微米，多晶硅的宽度从W+x微米变为了W微米；步骤七：通过光刻界定出源极区域，n型杂质离子注入，并进行推阱形成型源区n+；步骤八：与整个半导体硅片表面淀积介质层，通过光刻，界定出接触孔区域，并进行氧化层刻蚀；淀积金属层，通过光刻，定义出刻蚀区域，进行金属刻蚀。