[发明专利]利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法无效
| 申请号： | 201210294113.8 | 申请日： | 2012-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102808176A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 韩晓军;王磊;王雪靖 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00;B05D3/10;C08J5/18;C08J7/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法，涉及一种制备双向化学梯度表面的方法。本发明包括如下步骤：1）基底在醇溶液中超声，氮气吹干，并用超纯水清洗，最后浸泡在Piranha溶液中；2）将清洗好待用的基底浸泡到烷基/氨基硅烷的甲苯溶液中或硫醇的乙醇溶液中；3）在制备好的自组装膜基底上方放置屋脊型的载玻片，然后置于等离子体清洗机中，得到不同深度的双向化学梯度。该方法具有操作简单，反映速度快，效果好，化学梯度的深度可控，制备的梯度材料大小可控，成本低，适用范围广等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 有限 空间 等离子体 氧化 制备 双向 化学 梯度 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：1）基底表面清洗：基底在醇溶液中超声5~10分钟，氮气吹干，并用超纯水清洗，最后浸泡在Piranha溶液中5~10分钟；2）自组装膜的制备：将清洗好待用的基底浸泡到体积比为0.5~2%硅烷的苯溶液中或0.5~2 mM硫醇的醇溶液中；3）等离子体氧化过程：在制备好的自组装膜基底上方放置屋脊型的载玻片，然后置于等离子体清洗机中在功率为30~90W的条件下反应1~30秒，得到不同深度的双向化学梯度。
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