[发明专利]低压欠压直通过压保护限流电路

摘要

本发明公开了一种低压欠压直通过压保护限流电路，包括P沟道的MOS管Q10和4个NPN型三极管Q11、Q12、Q13和Q14；还包括外围的多个电阻；本发明的低压欠压直通过压保护限流电路，采用P沟道的MOS管作为电路的主控制器件，在电压过高时能够MOS管关断输入，电压欠压时电压直通，同时有限流作用，从而保护产品和电源本身。对充电输入端的限制减小，方便使用者能用更多的充电器。因此该低压欠压直通过压保护限流电路集成了低压欠压直通、过压保护和限流的功能，电路简单，具有电压输入范围广和电路输出电压稳定的特点。

主权项

一种低压欠压直通过压保护限流电路，其特征在于，包括P沟道的MOS管Q10和4个NPN型三极管Q11、Q12、Q13和Q14；   MOS管Q10的S极接低压欠压直通过压保护限流电路的正输入端Vin，MOS管Q10的D极通过电阻R18接低压欠压直通过压保护限流电路的正输出端Vout；MOS管Q10的G极与Vin之间接有电阻R19；   电阻R22和电阻R26串接成第一分压支路，且电阻R22与Vin相接，R26接地；第一分压支路的分压点接Q13的B极；Q13的C极通过电阻R17接Vin；Q13的E极接地；  Q14的B极接Q13的C极，Q14的C极接Q10的G极；Q14的E极接地；  电阻R21和电阻R25串接成第二分压支路；且电阻R21与Vout相接，电阻R25接地；第二分压支路的分压点接Q12的B极，Q12的C极和E极分别接Q14的B极和地；   电阻R20和电阻R27形成第三分压支路；且R20接Q10的D极，R27接地；第三分压支路的分压点接Q11的B极，Q11的C极和E极分别接Q12的C极和Vout；   在Vin与地之间以及Vout与地之间均接有滤波电容。