[发明专利]制造PZT纳米粒子墨水基压电传感器的方法和系统有效
| 申请号： | 201210295519.8 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102992260A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | J·L·杜斯;S·R·约翰斯顿;I-Y·沈;G·曹;H-L·黄 | 申请（专利权）人： | 波音公司;华盛顿大学商业化中心 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01D5/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开在一个实施例中提供了制造锆钛酸铅（PZT）纳米粒子墨水基压电传感器（110）的方法。该方法具有按配方配制锆钛酸铅（PZT）纳米粒子墨水（104）的步骤。该方法还具有经由墨水沉积过程（122）将所述PZT纳米粒子墨水（104）沉积在基体（101）上以形成PZT纳米粒子墨水基压电传感器（110）的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 pzt 纳米 粒子 墨水 压电 传感器 方法 系统 | ||
【主权项】：
制造锆钛酸铅（PZT）纳米粒子墨水基压电传感器（110）的方法，该方法包括：按配方配制锆钛酸铅（PZT）纳米粒子墨水（104）；以及经由墨水沉积过程（122）将所述PZT纳米粒子墨水（104）沉积在基体（101）上以形成PZT纳米粒子墨水基压电传感器（110）。
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