[发明专利]一种被动调Q激光器有效
申请号: | 201210296175.2 | 申请日: | 2012-08-20 |
公开(公告)号: | CN103633536B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 吴砺;凌吉武;贺坤;韩晓明;任策;刘国宏 | 申请(专利权)人: | 福州高意通讯有限公司 |
主分类号: | H01S3/063 | 分类号: | H01S3/063;H01S3/042 |
代理公司: | 北京市炜衡律师事务所11375 | 代理人: | 张辉 |
地址: | 350001 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及激光技术领域,公开了一种被动调Q激光器,包括泵浦源、泵浦耦合系统、激光增益介质和可饱和吸收体,泵浦源发出泵浦光经泵浦耦合系统进入激光增益介质,可饱和吸收体置于激光增益介质后面,所述激光增益介质为一喇叭状波导结构晶体,靠近可饱和吸收体一端为大端面。该激光器采用类波导结构的激光增益介质,将其产生的荧光尽可能多地反射到被动调Q晶体上,以降低泵浦阈值,同时提高被动调Q的激光脉冲频率和功率。 | ||
搜索关键词: | 一种 被动 激光器 | ||
【主权项】:
一种被动调Q 激光器,包括泵浦源、泵浦耦合系统、激光增益介质和可饱和吸收体,泵浦源发出泵浦光经泵浦耦合系统进入激光增益介质,可饱和吸收体置于激光增益介质后面,其特征在于:所述激光增益介质为一喇叭状波导结构晶体,靠近可饱和吸收体一端为大端面;所述喇叭状波导结构晶体外侧面均粘接有散热块;所述喇叭状波导结构晶体靠近泵浦耦合系统的一面镀有对泵浦光增透同时对工作激光高反的介质膜,靠近可饱和吸收体的大端面镀有对工作激光增透的介质膜;可饱和吸收体的出射端面镀有对工作激光部分反射的介质膜。
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