[发明专利]一种双层熔丝及其制造方法有效
| 申请号： | 201210297342.5 | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103633066A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明公开了一种双层熔丝制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层，包括有与第一区域及与所述第一区域不重叠的第二区域；在所述第一区域上形成第一导电金属层；形成第一区块，第二区块及第三区块，其中，所述第二区块形成于所述第一导电金属层上表面，所述第一区块及所述第三区块所覆盖的区域，一部分属于所述第一区域，另一部分属于所述第二区域，所述第一区块和所述第二区块间为第一熔丝窗口，所述第二区块和所述第三区块之间为第二熔丝窗口，所述第二区块上包括第二导电金属层；在所述第一熔丝窗口中形成第一隔离层，在所述第二熔丝窗口中形成第二隔离层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双层熔丝制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层，包括有与第一区域及与所述第一区域不重叠的第二区域；在所述第一区域上形成第一导电金属层；形成第一区块，第二区块及第三区块，其中，所述第二区块形成于所述第一导电金属层上表面，所述第一区块及所述第三区块所覆盖的区域，一部分属于所述第一区域，另一部分属于所述第二区域，所述第一区块和所述第二区块间为第一熔丝窗口，所述第二区块和所述第三区块之间为第二熔丝窗口，所述第二区块上包括第二导电金属层；在所述第一熔丝窗口中形成第一隔离层，在所述第二熔丝窗口中形成第二隔离层。
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