[发明专利]一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法，所述显示阵列包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。所述方法采用干法刻蚀外延层得到电子型导电层，形成多个矩阵单元；采用离子注入电子型导电层，直至衬底，实现相邻单元的隔离，获得半导体矩阵隔离区；电子束蒸发金属形成电子型导电电极，引出阴极线；用PECVD淀积隔离保护层；电子束蒸发金属形成空穴型导电电极，引出阳极线；阳极线与阴极线的在空间上交叉的区域即为显示像素。

主权项

一种直接发光型微显示阵列，其特征在于包括外延片（1）、半导体矩阵单元(17)、半导体矩阵隔离区(2)、n型导电层(3)、发光层(4)、p型导电层(5)、n电极(6)、p电极(7)、隔离保护层(8)、阳极线（9）、阴极线（10）；外延片（1）包括衬底（18），以及在衬底（18）上依次生长的n型导电层（3）、发光层（4）、空穴型导电型（5），在外延片（1）上采用干法刻蚀方法，刻蚀深至n型导电层(3)，形成多个半导体矩阵单元（17），所述的半导体矩阵单元（17）由未刻蚀到n型导电层(3)的部分组成，在刻蚀露出的n型导电层（3）上注入离子，离子渗透直至衬底（18），形成高阻区，得到半导体矩阵隔离区(2)，半导体矩阵单元（17）的n型导电层（3）上设置n电极(6)，各个n电极（6）相连构成阴极线（10），在p型导电层（5）上进行光刻或刻蚀，获得空穴型导电通孔（11），在p型导电层通孔（11）外设置隔离保护层（8），半导体矩阵单元（17）的p型导电层(5)上设置p电极(7)，各个p电极(7)相连构成阳极线（9）。