[发明专利]磁图像传感器及鉴伪方法在审
| 申请号： | 201210297794.3 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103632431A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 时启猛;彭春雷;曲炳郡 | 申请（专利权）人： | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 |
| 主分类号： | G07D7/20 | 分类号： | G07D7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明提供一种磁图像传感器及鉴伪方法。磁图像传感器包括磁传感器芯片，其特征在于，所述磁传感器芯片包括第一磁敏感单元点阵和第二磁敏感单元点阵，所述第一磁敏感单元点阵和所述第二磁敏感单元点阵之间的夹角θ为0＜θ＜180°，所述第一磁敏感单元点阵和所述第二磁敏感单元点阵分别包括N个和M个磁敏感单元，所述磁敏感单元是由磁敏感薄膜制作的惠斯通电桥电路，其中，N、M为≥1的整数。该磁图像传感器能够对二维平面的磁条或磁点进行磁成像，从而实现二维鉴伪需求。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种磁图像传感器，包括磁传感器芯片，其特征在于，所述磁传感器芯片包括第一磁敏感单元点阵和第二磁敏感单元点阵，所述第一磁敏感单元点阵和所述第二磁敏感单元点阵之间的夹角θ为0＜θ＜180°，所述第一磁敏感单元点阵和所述第二磁敏感单元点阵分别包括N个和M个磁敏感单元，所述磁敏感单元是由磁敏感薄膜制作的惠斯通电桥电路，其中，N、M为≥1的整数。
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