[发明专利]一种类单晶晶体硅锭的制作方法和多晶硅铸锭炉无效
| 申请号： | 201210298512.1 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103628126A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 郑志东;王朋;翟蕊;李娟 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 314117 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 发明提供了一种类单晶晶体硅锭的制作方法，包括：对铺设在一容器底部的籽晶层和位于所述籽晶层上方的硅料进行加热，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶层部分熔化，形成液态硅层，且未熔化的部分籽晶层保持为固态，在类单晶生长时，控制所述容器内的热场，使所述籽晶层内的籽晶间拼缝处的温度高于籽晶区域的温度，籽晶区域的晶体优先向拼缝处生长，并且籽晶处的晶体生长速度大于拼缝处的晶体生长速度，则抑制了拼缝处多晶的生长，使得拼缝处的晶向可控，并且拼缝处的晶向与籽晶晶向保持一致，减少了位错的产生，进而提高了类单晶硅太阳能电池的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 种类 晶体 制作方法 多晶 铸锭 | ||
【主权项】：
一种类单晶晶体硅锭的制作方法，其特征在于，包括：对铺设在一容器底部的籽晶层和位于所述籽晶层上方的硅料进行加热，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶层部分熔化，形成液态硅层，且未熔化的部分籽晶层保持为固态；在类单晶生长时，控制所述容器内的热场，使所述籽晶层内的籽晶间拼缝处温度高于籽晶区域的温度。
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