[发明专利]显示装置以及显示装置的制造方法

摘要

一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

主权项

一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极之上的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜包含氮化硅和氮氧化硅中的一种；所述第一绝缘膜之上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包含氧化硅和氧氮化硅中的一种；所述栅电极之上的半导体膜，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜夹在所述栅电极和所述半导体膜之间；在所述半导体膜之上并与所述半导体膜电接触的源电极；在所述半导体膜之上并与所述半导体膜电接触的漏电极；所述半导体膜、所述源电极和所述漏电极之上的第三绝缘膜；和所述第三绝缘膜之上的像素电极，所述像素电极电连接于所述源电极和所述漏电极中的一个；其中所述像素电极重叠于所述半导体膜，其中所述半导体膜的第一边缘不延伸超出所述栅电极的第一边缘，所述半导体膜的所述第一边缘重叠于所述源电极，其中所述半导体膜的第二边缘不延伸超出所述栅电极的第二边缘，所述半导体膜的所述第二边缘重叠于所述漏电极，并且其中所述半导体膜包括含有杂质的区域。