[发明专利]互补型金属氧化物半导体管的形成方法

摘要

种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相邻的第一区域和第二区域；在所述半导体衬底的第一区域表面形成第一栅极结构；在所述半导体衬底的第二区域表面形成第二栅极结构；在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第一应力氧化层、以及位于所述第一应力氧化层表面的第一应力氮化层，并进行第一次热退火；在第一次热退火后，去除第一应力氮化层，以及所述第一栅极结构和第二栅极结构顶部表面的第一应力氧化层；之后，在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第三掩膜层，以形成应力层。所形成的半导体器件性能稳定。

主权项

一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相邻的第一区域和第二区域；在所述半导体衬底的第一区域表面形成第一栅极结构，所述第一栅极结构的表面具有第一掩膜层；在所述半导体衬底的第二区域表面形成第二栅极结构，所述第二栅极结构的表面具有第二掩膜层；在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第一应力氧化层、以及位于所述第一应力氧化层表面的第一应力氮化层；在形成第一应力氧化层和第一应力氮化层后，进行第一次热退火；在第一次热退火后，去除第一应力氮化层；在去除第一应力氮化层后，去除所述第一栅极结构和第二栅极结构顶部表面的第一应力氧化层，并暴露出第一掩膜层；在暴露出第一掩膜层后，在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层暴露出第二栅极结构两侧的半导体衬底表面；以所述第三掩膜层为掩膜，在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底内形成应力层；在形成应力层后，去除第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层。