[发明专利]硅通孔封装结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210299744.9 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103633013A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 种硅通孔封装结构的形成方法，包括：提供锗硅衬底，在所述锗硅衬底表面形成硅衬底；在所述硅衬底的第一表面上形成半导体器件，在所述硅衬底的第一表面和半导体器件表面形成层间介质层和位于层间介质层内的金属互连结构；形成贯穿所述硅衬底的硅通孔，所述硅通孔的顶部表面与金属互连结构电学连接；利用气体腐蚀工艺或湿法刻蚀工艺去除所述锗硅衬底，直到暴露出所述硅衬底的第二表面和所述硅通孔的底部表面。由于所述气体腐蚀工艺或湿法刻蚀工艺不会对硅衬底产生应力作用，因此所述硅衬底的厚度可以很薄，可以有效的降低硅通孔的形成深度，降低成本，避免刻蚀形成过深的通孔时对通孔侧壁的损伤，不会影响最终形成的硅通孔的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供锗硅衬底，在所述锗硅衬底表面形成硅衬底，所述硅衬底包括与锗硅衬底相接触的第二表面和与第二表面相对的第一表面；在所述硅衬底的第一表面上形成半导体器件，在所述硅衬底的第一表面和半导体器件表面形成层间介质层和位于层间介质层内的金属互连结构；形成贯穿所述硅衬底的硅通孔，所述硅通孔的顶部表面与金属互连结构电学连接；利用气体腐蚀工艺或湿法刻蚀工艺去除所述锗硅衬底，直到暴露出所述硅衬底的第二表面和所述硅通孔的底部表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
