[发明专利]可编程晶体管阵列设计方法有效

专利信息
申请号: 201210299773.5 申请日: 2010-01-21
公开(公告)号: CN102820293A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 罗明健;吴国雄 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/118;G06F17/50
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种设计集成电路的方法,包括提供彼此相同的第一芯片和第二芯片。第一芯片和第二芯片中的每一个都包括基底层,基底层包括逻辑晶体管单元(LTU)阵列。LTU阵列包括彼此相同并且以行和列进行配置的LTU。该方法还包括:连接第一芯片的基底层以形成第一应用芯片;以及连接第二芯片的基底层以形成不同于第一应用芯片的第二应用芯片。
搜索关键词: 可编程 晶体管 阵列 设计 方法
【主权项】:
一种集成电路结构,包括:芯片中的多个PMOS晶体管单元(PTU);以及所述芯片中的多个NMOS晶体管单元(NTU),其中,所述多个PMOS晶体管单元和所述多个NMOS晶体管单元中的每一个都包括:有源区域,具有矩形形状;偶数个栅电极,在所述有源区域上方;两个虚拟栅极,在所述有源区域的相对侧上,在有源区域外侧并直接位于绝缘区域之上,其中,所述栅电极和所述两个虚拟栅极彼此平行;以及接触插塞,连接至所述栅电极,其中,所述接触插塞不直接在所述有源区域上方,基本上芯片中的所有PMOS器件都具有与多个PMOS晶体管单元中的任意一个相同的布局,以及其中,基本上芯片中的所有NMOS器件都具有与多个NMOS晶体管单元中的任意一个相同的布局。
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