[发明专利]可编程晶体管阵列设计方法有效
申请号: | 201210299773.5 | 申请日: | 2010-01-21 |
公开(公告)号: | CN102820293A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 罗明健;吴国雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/118;G06F17/50 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种设计集成电路的方法,包括提供彼此相同的第一芯片和第二芯片。第一芯片和第二芯片中的每一个都包括基底层,基底层包括逻辑晶体管单元(LTU)阵列。LTU阵列包括彼此相同并且以行和列进行配置的LTU。该方法还包括:连接第一芯片的基底层以形成第一应用芯片;以及连接第二芯片的基底层以形成不同于第一应用芯片的第二应用芯片。 | ||
搜索关键词: | 可编程 晶体管 阵列 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路结构,包括:芯片中的多个PMOS晶体管单元(PTU);以及所述芯片中的多个NMOS晶体管单元(NTU),其中,所述多个PMOS晶体管单元和所述多个NMOS晶体管单元中的每一个都包括:有源区域,具有矩形形状;偶数个栅电极,在所述有源区域上方;两个虚拟栅极,在所述有源区域的相对侧上,在有源区域外侧并直接位于绝缘区域之上,其中,所述栅电极和所述两个虚拟栅极彼此平行;以及接触插塞,连接至所述栅电极,其中,所述接触插塞不直接在所述有源区域上方,基本上芯片中的所有PMOS器件都具有与多个PMOS晶体管单元中的任意一个相同的布局,以及其中,基本上芯片中的所有NMOS器件都具有与多个NMOS晶体管单元中的任意一个相同的布局。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的