[发明专利]一种氮化镓发光二极管结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210300722.X | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103633211A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吴东海;李志翔;刘刚 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 种氮化镓发光二极管结构及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明的结构包括衬底和依次置于衬底之上的缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、有源发光层和P型掺杂氮化镓层。N型电极置于N型掺杂氮化镓层上表面，P型电极置于P型掺杂氮化镓层上表面。其结构特点是，所述非故意掺杂氮化镓层的上表面形成一图形化结构的结构层。同现有技术相比，本发明能有效降低氮化物外延层中的位错密度，提高氮化物发光二极管器件的发光效率，具有方法简单、成本低廉的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓发光二极管结构，它包括衬底（100）和依次置于衬底之上的缓冲层（101）、非故意掺杂氮化镓层（102）、N型掺杂氮化镓层（104）、有源发光层（105）和P型掺杂氮化镓层（106），N型电极（107）置于N型掺杂氮化镓层（104）上表面，P型电极（108）置于P型掺杂氮化镓层（106）上表面，其特征在于，所述非故意掺杂氮化镓层（102）的上表面形成一图形化结构的结构层（103）。
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