[发明专利]氮化物半导体基板有效
| 申请号： | 201210300925.9 | 申请日： | 2008-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102856455A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 吉田治正;高木康文;桑原正和 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层（6）呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面（62）的层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 | ||
【主权项】：
氮化物半导体基板，其特征在于，具有：GaN系半导体层，该GaN系半导体层在基底层上生长，沿厚度方向的截面基本上为三角形状，且所述GaN系半导体层呈周期性的条纹状，在该条纹的斜面上设置有凹凸面；以及在所述GaN系半导体层上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层。
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