[发明专利]电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法无效

专利信息
申请号: 201210300956.4 申请日: 2012-08-22
公开(公告)号: CN102864417A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 段羽;陈平;臧春亮;谢月;杨永强;赵毅;刘式墉 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;H01L51/56
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 张景林;刘喜生
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于有机电子器件技术领域,具体涉及一种利用电子束蒸发结合原子层沉积技术制备钝化层从而实现有机电子器件封装的方法。首先,采用电子束蒸发的方法快速沉积无机钝化层形成第一层封装薄膜,目的是防止原子层沉积过程中反应物对有机器件的侵蚀;其次,由于电子束蒸发所能形成的封装薄膜在有机器的长期存放过程中气体阻隔性能有限,因此电子束蒸发之后采用原子层技术慢速沉积致密无孔的第二层封装薄膜来进一步阻隔水氧。该封装方法避免了辐射与高温等可以导致有机器件退化的因素,而且制备工程完全是“干式”的,没有溶剂或水对器件造成的污染及损伤,对封装后的有机器件性能影响小,同时封装后的有机器件具有透光性和柔性特点。
搜索关键词: 电子束 蒸发 结合 原子 沉积 钝化 实现 有机 器件 封装 方法
【主权项】:
一种电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法,其步骤如下:1)首先在衬底上制备阳极、有机层和阴极结构的有机电子器件;2)然后利用电子束蒸发技术在器件上制备金属氧化物或金属氮化物的钝化层薄膜,作为第一封装薄膜层;3)最后利用原子层沉积技术在步骤2)的第一封装薄膜层上再制备一层金属氧化物或金属氮化物的钝化层薄膜,作为第二封装薄膜层,从而完成有机器件的封装。
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