[发明专利]一种多量程集成压力传感器芯片无效
申请号: | 201210302269.6 | 申请日: | 2012-08-23 |
公开(公告)号: | CN102798498A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 揣荣岩;王健;刘斌 | 申请(专利权)人: | 沈阳工业大学 |
主分类号: | G01L9/04 | 分类号: | G01L9/04;G01L1/22;B81B3/00 |
代理公司: | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人: | 宋铁军;周楠 |
地址: | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明是一种多量程集成压力传感器芯片,包括硅衬底,在硅衬底上设置两个或两个以上不同量程压力传感器,由腐蚀孔、膜片、应变电阻构成;在膜片上表面设有四个互相对称的应变电阻,四个应变电阻通过导线连接成惠斯通电桥;膜片与硅衬底相连并构成腔体,膜片支撑边缘设置有腐蚀孔。本发明具有体积小、量程宽、低压灵敏度高、温漂系数小和制造工艺与集成电路工艺兼容的特点,本发明可用于汽车中多路压力测量、环境控制压力测量、航空系统以及石油化工等领域中的压力测量,适于推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 多量 集成 压力传感器 芯片 | ||
【主权项】:
一种多量程集成压力传感器芯片,其特征在于:包括硅衬底(1),在硅衬底(1)上设置有不同量程压力传感器,称为小量程传感器(6)和大量程传感器(7),每个传感器由腐蚀孔(2)、膜片(3)、应变电阻(4)构成;在膜片(3)上面设有四个互相对称的应变电阻(4),四个应变电阻通过导线连接成惠斯通电桥,将压力转换成电压输出;膜片(3)与硅衬底(1)相连并构成腔体(8),膜片(3)支撑边缘设置有腐蚀孔(2)。
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