[发明专利]高压金属氧化物半导体晶体管元件在审
| 申请号： | 201210303455.1 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103633139A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李秋德;林克峰;张志谦;陈威霖;王智充 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，其包含有一基底、至少一设置于该基底上的绝缘结构、一设置于该基底上的栅极、以及一源极区域与一漏极区域，设置于该栅极两侧的该基底内。该绝缘结构内包含有一凹槽，而该栅极则包含一设置于该基底表面上的第一栅极部分，以及一设置于该凹槽内的第二栅极部分，且该第二栅极部分由该第一栅极部分向下延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 | ||
【主权项】：
一种高压金属氧化物半导体(high voltage metal‑oxide‑semiconductor，HV MOS)晶体管元件，包含有：基底；至少一绝缘结构，设置于该基底上，且该绝缘结构内包含有一凹槽；栅极，设置于该基底上，该栅极还包含：第一栅极部分，设置于该基底表面上；以及第二栅极部分，该第二栅极部分由该第一栅极部分向下延伸，且设置于该凹槽内；以及源极区域与漏极区域，设置于该栅极两侧的该基底内。
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