[发明专利]一种新型三结薄膜太阳能电池及其生产方法

摘要

本发明公开了一种新型三结薄膜太阳能电池，包括由下而上依次排列的玻璃基板、背电极钼层、多结电池单元、窗口层和减反层，减反层上设置有栅电极；多结电池单元由以下电池层由下而上依次排列：P型硒铟铜层、N型硫化镉层、第一P型非晶硅层、本征非晶锗硅层、第一N型非晶硅层、第二P型非晶硅层、本征非晶硅层和第二N型非晶硅层。本发明还公开了一种新型三结薄膜太阳能电池的生产方法，分别通过磁控溅射法、真空硒化退火法或真空蒸镀法制作上述各电池层。本发明所述太阳能电池结合了a-Si/a-SiGe太阳能电池技术与CuInSe2薄膜太阳能电池的特点，拓展太阳光吸收波长范围到500-1100nm，提高光电转换率到20%，而且制造成本低。

主权项

一种新型三结薄膜太阳能电池，包括由下而上依次排列的玻璃基板、背电极钼层、多结电池单元、窗口层和减反层，所述减反层上设置有栅电极；其特征在于：所述多结电池单元包括三结，由下而上依次为硒铟铜结、非晶锗硅结和非晶硅结，所述硒铟铜结包括由下而上依次排列的P型硒铟铜层和N型硫化镉层，所述非晶锗硅结包括由下而上依次排列的第一P型非晶硅层、本征非晶锗硅层和第一N型非晶硅层，所述非晶硅结包括由下而上依次排列的第二P型非晶硅层、本征非晶硅层和第二N型非晶硅层。